Vol.2, No 1, 1999 pp. 47 - 61
UDC 538.9+613.648.4
ISOTHERMAL AND ISOCHRONAL ANNEALING
OF GAMMA-RAY IRRADIATED n-CHANNEL
POWER VDMOS TRANSISTORS
Goran S. Ristić, Momčilo M. Pejović, Aleksandar B. Jakšić
Faculty of Electronic Engineering, University of Niš, Beogradska 14,
18000 Niš
E-mail: goranristic@elfak.ni.ac.yu
Abstract. The behaviour of densities of the oxide trapped charge
and the interface traps in gamma-ray irradiated n-channel power VDMOS transistors
during isothermal and isochronal annealing has been investigated. The experimental
results have revealed the existence of latent interface trap buildup (LITB)
process. By using of numerical modeling, based on the H-W model, the LITB
process during isothermal annealing has been successfully simulated. The
interface trap densities have been determined by both the midgap and the
charge pumping methods, and results have shown good qualitative agreement
between these two methods.
Key words: interface traps, oxide trapped charge,
irradiation, annealing, MOS transistors
IZOTERMALNO I IZOHRONALNO ODŽARIVANJE
n-KANALNIH VDMOS TRANZISTORA SNAGE
OZRAČENIH GAMA-ZRAČENJEM
Ispitivano je ponašanje gustina zahvaćenog naelektrisanja i površinskih
stanja kod ozračenih n-kanalnih VDMOS tranzistora snage tokom njihovog
izotermalnog i izohronalnog odžarivanja. Eksperimentalni rezultati su potvrdili
postojanje procesa latentnog formiranja površinskih stanja (LITB proces).
Izvršeno je uspešno numeričko modelovanje ovog procesa zasnovano na H-W
modelu. Gustine površinskih stanja su odredjivane pomoću midgap i charge-pumping
metode, i pokazano je dobro kvalitativno slaganje vrednosti dobijenih ovim
metodama.
Ključne reči: površinska stanja, zahvaćeno naelektrisanje u
oksidu, ozračivanje, odžarivanje, MOS tranzistor
