Vol.2, No 4, 2002 pp. 223 - 233
UDC 538.9 +621.382.323
EFFECTS OF GAMA-IRRADIATION ON ELECTRICAL
CHARACTERISTICS OF POWER VDMOS TRANSISTORS
Z. Pavlović*, I. Manić, S. Golubović
*Department of Physics, Faculty of Science, University of Niš, 18000
Niš, Serbia
Department of Microelectronics, Faculty of Electronic Engineering,
University of Niš, 18000 Niš, Serbia
Abstract. In this paper we present the results of both experimental
investigation and analytical modelling of gama-irradiation effects on basic
electrical characteristics of power VDMOS transistors. First, an analytical
model that yields the drain current and transconductance dependencies on
gate oxide charge density is developed. The experimental data are utilized
to establish an analytical relation between the absorbed dose of gama-irradiation
and corresponding effective density of gate oxide charges, as well as to
extract the values of model parameters. Drain current and transconductance
of VDMOS devices are then modelled as the functions of irradiation dose.
Finally, the results of modelling are compared with experimental data.
Key words: VDMOS Transistors, gama-Irradiation, Drain Current,
Transconductance
UTICAJ EFEKATA GAMA-ZRAČENJA
NA ELEKTRIČNE KARAKTERISTIKE VDMOS TRANSISTORA SNAGE
U ovom radu prikazani su rezultati eksperimentalnih istraživanja i analitički
model uticaja efekata gama-zračenja na strujno-naponske karakteristike
u linearnoj oblasti i oblasti zasićenja, kao i transkonduktansu VDMOS tranzistora
snage. Najpre je razvijen analitički model zavisnosti struje drejna i transkonduktanse
od gustine naelektrisanja u oksidu gejta. Eksperimentalni rezultai iskorišćeni
su da bi se odredila analitička zavisnost izmedju apsorbovane doze gama-zračenja
i gustine efektivnog naelektrisanja u oksidu gejta i izvršila ekstrakcija
parametara koji su korišćeni u modelu. Zatim je izvršeno modeliranje struje
drejna i transkonduktanse u funkcije doze gama-zračenja. Na kraju je izvršeno
poredjenje modeliranih karakteristika sa eksperimentalnim rezultatima.
